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BFN16

更新时间: 2024-11-16 03:21:47
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1页 17K
描述
SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BFN16 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.39外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):70 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

BFN16 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BFN16  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
C
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAILS -  
BFN17  
DD  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Co lle cto r-Ba se Vo lta g e  
Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e  
Em itte r-Ba s e Vo lta g e  
250  
V
V
250  
5
V
Pe ak Pu ls e Cu rre n t  
500  
m A  
m A  
m A  
W
Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t  
Bas e Cu rren t  
IC  
200  
IB  
100  
1
Po w er Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
Tj:Ts tg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS .  
Co lle cto r-Ba se  
Bre a kd o w n Vo ltag e  
V(BR)CBO  
250  
250  
5
IC=100µA  
Co lle cto r-Em itte r  
Bre a kd o w n Vo ltag e  
V(BR)CEO  
V
V
IC=1m A  
Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n V(BR)EBO  
Vo lta g e  
IE=100µA  
VCB=250V  
Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t ICBO  
100  
20  
n A  
µA  
VCB=250V, Ta m b=150 °C  
Em itte r Cu t-Off Cu rren t  
IEBO  
100  
0.4  
n A  
V
VEB=3V  
Co lle cto r-Em itte r  
S atu ra tio n Vo lta g e  
VCE(s a t)  
IC=20m A, IB=2m A  
Bas e -Em itte r S atu ra tio n  
Vo lta g e  
VBE(s a t)  
hFE  
0.9  
V
IC=20m A, IB=2m A  
S ta tic Fo rw a rd Cu rren t  
Tra n s fe r Ra tio  
25  
40  
40  
IC=1m A,VCE=10V*  
IC=10m A, VCE=10V  
IC=30m A, VCE=10V  
Tra n s itio n Fre q u e n cy  
Ou tp u t Ca p a cita n ce  
fT  
Typ .70  
MHz  
p F  
IC=20m A, VCE=10V*  
f=20MHz  
Co b o  
Typ .1.5  
VCB=30V,f=1MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet  
3 - 42  

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