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BFN16

更新时间： 2024-11-16 03:21:47
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1页 17K
描述
SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BFN16 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.39外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

BFN16 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BFN16  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
C
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAILS -  
BFN17  
DD  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Co lle cto r-Ba se Vo lta g e  
Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e  
Em itte r-Ba s e Vo lta g e  
250  
V
V
250  
5
V
Pe ak Pu ls e Cu rre n t  
500  
m A  
m A  
m A  
W
Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t  
Bas e Cu rren t  
IC  
200  
IB  
100  
1
Po w er Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
Tj:Ts tg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS .  
Co lle cto r-Ba se  
Bre a kd o w n Vo ltag e  
V(BR)CBO  
250  
250  
5
IC=100µA  
Co lle cto r-Em itte r  
Bre a kd o w n Vo ltag e  
V(BR)CEO  
V
V
IC=1m A  
Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n V(BR)EBO  
Vo lta g e  
IE=100µA  
VCB=250V  
Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t ICBO  
100  
20  
n A  
µA  
VCB=250V, Ta m b=150 °C  
Em itte r Cu t-Off Cu rren t  
IEBO  
100  
0.4  
n A  
V
VEB=3V  
Co lle cto r-Em itte r  
S atu ra tio n Vo lta g e  
VCE(s a t)  
IC=20m A, IB=2m A  
Bas e -Em itte r S atu ra tio n  
Vo lta g e  
VBE(s a t)  
hFE  
0.9  
V
IC=20m A, IB=2m A  
S ta tic Fo rw a rd Cu rren t  
Tra n s fe r Ra tio  
25  
40  
40  
IC=1m A,VCE=10V*  
IC=10m A, VCE=10V  
IC=30m A, VCE=10V  
Tra n s itio n Fre q u e n cy  
Ou tp u t Ca p a cita n ce  
fT  
Typ .70  
MHz  
p F  
IC=20m A, VCE=10V*  
f=20MHz  
Co b o  
Typ .1.5  
VCB=30V,f=1MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet  
3 - 42  
1

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