BFN16

更新时间： 2024-11-16 03:21:47

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描述
SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BFN16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.39	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

BFN16 数据手册

SOT89 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BFN16

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

✪

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAILS -

BFN17

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba se Vo lta g e

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

250

Pe ak Pu ls e Cu rre n t

500

m A

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Bas e Cu rren t

I_C

200

I_B

100

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba se

Bre a kd o w n Vo ltag e

V_(BR)CBO

250

I_C=100µA

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo ltag e

V_(BR)CEO

I_C=1m A

Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n V_(BR)EBO

Vo lta g e

I_E=100µA

V_CB=250V

Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t I_CBO

100

n A

µA

V_CB=250V, T_{a m b}=150 °C

Em itte r Cu t-Off Cu rren t

I_EBO

100

0.4

n A

V_EB=3V

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

I_C=20m A, I_B=2m A

Bas e -Em itte r S atu ra tio n

Vo lta g e

V_{BE(s a t)}

h_FE

0.9

I_C=20m A, I_B=2m A

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t

Tra n s fe r Ra tio

I_C=1m A,V_CE=10V*

I_C=10m A, V_CE=10V

I_C=30m A, V_CE=10V

Tra n s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

Typ .70

MHz

p F

I_C=20m A, V_CE=10V*

f=20MHz

C_{o b o}

Typ .1.5

V_CB=30V,f=1MHz

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet

3 - 42

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BFN17	ZETEX	获取价格	SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BFN17	INFINEON	获取价格	PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit
BFN18	INFINEON	获取价格	NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit
BFN18	ZETEX	获取价格	SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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