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BFG540W/X,115

更新时间: 2024-09-24 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 145K
描述
BFG540W - NPN 9 GHz wideband transistor SOP 4-Pin

BFG540W/X,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOP包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.72其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.12 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.5 W最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9000 MHz
Base Number Matches:1

BFG540W/X,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFG540W  
BFG540W/X; BFG540W/XR  
NPN 9 GHz wideband transistor  
Product specification  
2000 May 23  
Supersedes data of 1997 Dec 04  

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