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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | GATE PROTECTED | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 8 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.025 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.025 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF5030W-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| BF5030W-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| BF5030WH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| BF505 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
|
| BF506 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon RF Transistor (For VHF mixer and oscillator stages) |
|
| BF506 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 35V 30A |
|
| BF506-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP RF Small Signal |
|
| BF506-T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP RF Small Signal |
|
| BF507 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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| BF509 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
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