BF5030

更新时间： 2024-10-30 08:52:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

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BF5030 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.025 A	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BF5030 数据手册

BF5030...

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

• Designed for input stages of UHF- and

VHF-tuners with AGC function

• Supporting 5 V operations and

power saving 3 V operations

• Integrated ESD gate protection diodes

• Very low noise figure

• High gain, high forward transadmittance

• Very good cross modulation at gain reduction

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Drain

HF Output

+ DC

AGC

Input

R_G1

GND

V_GG

EHA07461

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

Package

SOT143

SOT143R 1=D

SOT343 1=D

Pin Configuration

Marking

KXs

BF5030

BF5030R

BF5030W

1=S

2=D

2=S

3=G2 4=G1

3=G1 4=G2

KXs

2009-05-05

12 3 4 5 6 7...13

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