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BF459 PDF预览

BF459

更新时间： 2024-11-22 14:54:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
18页 235K
描述
300V,100mA,1.2W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage

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BF459 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.45
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：90 MHzBase Number Matches：1

BF459 数据手册

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DATA SHEET  
BF457  
BF458  
BF459  
NPN SILICON  
HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS  
JEDEC TO-126 CASE  
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BF457 series types are silicon NPN plastic transistors manufactured  
by the epitaxial planar process designed for horizontal driver, high voltage amplifier, and switching circuits.  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
BF457  
160  
160  
BF458  
250  
BF459  
300  
300  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
250  
5.0  
100  
300  
50  
100  
10  
V
V
mA  
mA  
mA  
mA  
W
I
I
I
I
P
P
C
CM  
B
BM  
D
D
Peak Base Current  
Power Dissipation (T =45°C)  
C
Power Dissipation  
1.2  
W
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
-65 to +150  
°C  
°C/W  
°C/W  
J stg  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
Θ
10  
104  
JC  
JA  
Θ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
BF457  
BF458  
BF459  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
50  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=100V  
=200V  
=250V  
=3.0V  
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
EB  
50  
50  
50  
50  
160  
160  
50  
250  
250  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
300  
300  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
V
V
V
C
I =1.0mA  
5.0  
5.0  
5.0  
C
C
V
h
I =30mA, I =6.0mA  
1.0  
1.0  
1.0  
CE(SAT)  
FE  
B
V
=10V, I =30mA  
25  
25  
25  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
f
C
C
V
V
V
=10V, I =15mA, f=100MHz  
90 TYP  
5.5 TYP  
4.2 TYP  
90 TYP  
5.5 TYP  
4.2 TYP  
90 TYP  
5.5 TYP  
4.2 TYP  
MHz  
pF  
pF  
T
C
=30V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
re  
E
=30V, I =1.0mA, f=1.0MHz  
C
(SEE REVERSE SIDE)  
R0  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF45TC ETC

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BF469 NXP

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 		NPN high-voltage transistors
BF469 INFINEON

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 		NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
BF469 CENTRAL

获取价格

 		250V,50mA,1.25W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/
BF469 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 250V 0.05A 3-Pin TO-126
BF469S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-32
BF470 NXP

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