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BF199 PDF预览

BF199

更新时间： 2024-02-11 10:38:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
NPN RF Transistor

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BF199 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.35 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：750 MHzBase Number Matches：1

BF199 数据手册

 浏览型号BF199的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BF199的Datasheet PDF文件第3页 
BF199  
NPN RF Transistor  
TO-92  
1. Collector 2. Emitter 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
25  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
40  
V
CBO  
EBO  
4.0  
V
I
- Continuous  
50  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base BreakdownVoltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1.0mA, I = 0  
25  
40  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CES  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
4.0  
V
C
I
V
= 30V, I = 0  
50  
nA  
CE  
E
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
= 7.0mA, V = 10V  
38  
FE  
C
CE  
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
I
= 10mA, I = 5.0mA  
0.2  
0.92  
V
V
V
CE  
BE  
BE  
C
C
C
B
= 10mA, I = 5.0mA  
B
= 7.0mA, V = 10V  
0.925  
CE  
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
I
= 7.0mA, V = 10V,  
1100  
0.4  
MHz  
pF  
T
C
CE  
f = 100MHz  
C
Common-Emitter Ruerse  
Transfer Capacitance  
V
CB  
= 10V, I = 0, f = 1.0MHz  
re  
E
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, September 2002  
123

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BF199 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFS20 DIOTEC

类似代替

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