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BF199

更新时间: 2024-09-24 22:39:35
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTOR

BF199 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.74
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.025 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):550 MHz
Base Number Matches:1

BF199 数据手册

  

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