BDY26

更新时间： 2024-01-21 00:32:09

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	202K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY26 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDY26 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY26

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 180V(Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V(Max)@ I_C= 2A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for LF signal powe amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

300

180

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

87.5

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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