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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDY25A | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| BDY25A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 140V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY25B | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| BDY25B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 140V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY25C | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| BDY25C | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 140V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY25SB | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 140V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY26 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| BDY26 | COMSET |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA |
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| BDY26A | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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