BDY24

更新时间： 2024-10-02 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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Silicon NPN Power Transistor

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BDY24 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY24

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 90V(Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V(Max)@ I_C= 2A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for LF signal powe amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

87.5

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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