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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDY23C | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDY24 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| BDY24 | COMSET |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA |
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| BDY24 | NJSEMI |
获取价格 |
LF large signal power amplification |
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| BDY24A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 90V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY24B | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
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| BDY24B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 90V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY24C | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BDY24C | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 90V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BDY24CCLB | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 90V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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