BDX96

更新时间： 2024-01-01 00:17:38

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	202K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BDX96 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

BDX96 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BDX92/94/96

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -10A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -60V(Min)- BDX92

-80V(Min)- BDX94

-100V(Min)- BDX96

·Complement to Type BDX91/93/95

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-60

UNIT

BDX92

BDX94

BDX96

BDX92

BDX94

BDX96

Collector-Base

V_CBO

-80

Voltage

-100

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

P_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-10

-15

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

℃

T_J

Junction Temperature

200

-65~200

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.94

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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