BDX67B

更新时间： 2024-09-25 06:41:59

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3页	103K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX67B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDX67B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX67/A/B/C

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 10A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BDX66/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

100

120

140

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDX67A

BDX67B

BDX67C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

250

150

200

-65~200

℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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