BDX62A

更新时间： 2024-09-23 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
PNP SILICON DARLINGTONS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDX62A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
最大集电极电流 (IC)：	8 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

BDX62A 数据手册

PNP SILICON DARLINGTONS

General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDX62

-60

-80

-100

-120

-60

BDX62A

BDX62B

BDX62C

BDX62

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

BDX62A

BDX62B

BDX62C

-80

-100

-120

Collector-EmitterVoltage

Emitter-Base Voltage

V_BE=-1.5 V

V_CEV

BDX62

BDX62A

BDX62B

BDX62C

BDX62

BDX62A

BDX62B

BDX62C

BDX62

V_EBO

-5.0

-8

I_C(RMS)

Collector Current

I_C

BDX62A

BDX62B

BDX62C

-12

I_CM

BDX62

BDX62A

BDX62B

BDX62C

Base Current

-0.15

I_B

BDX62

Watts

W/°C

BDX62A

BDX62B

BDX62C

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_T

BDX62

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDX62A

BDX62B

BDX62C

-55 to +200

°C

Page 1 of 5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与BDX62A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDX62B	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX62B	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX62B	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX62B	TTELEC	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX62C	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX62C	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX62C	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX63	SEME-LAB	获取价格	NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX63	COMSET	获取价格	NPN SILICON DARLINGTONS