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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BDW94CF | FAIRCHILD |
类似代替  |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| 2N6042G | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors |
|
| BDX54CG | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW94CJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plas |
|
| BDW94J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDX016016-2 | AMPHENOL |
获取价格 |
GROUND BLOCK SZ 16 LC |
|
| BDX016017-2 | AMPHENOL |
获取价格 |
GROUND BLOCK SZ 16 WC |
|
| BDX016020-2 | AMPHENOL |
获取价格 |
GROUND BLOCK SZ 20 LC |
|
| BDX016021-2 | AMPHENOL |
获取价格 |
GROUND BLOCK SZ 20 WC |
|
| BDX10 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BDX11 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| BDX12 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BDX12-1.0S100RM | BELLNIX |
获取价格 |
Digital Controlã»Non-Isolated POL DC-DC Conv |
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