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BDW94CF PDF预览

BDW94CF

更新时间： 2024-09-09 21:54:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 419K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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BDW94CF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.66Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW94CF 数据手册

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July 2005  
BDW94CF  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Power Linear and Switching Application  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDW93CF Respectively  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
-100  
-100  
-12  
Units  
VCBO  
VCEO  
IC  
ICP  
IB  
Collector-Base Voltage  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse) *  
Base Current  
V
A
-15  
A
-0.2  
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
30  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-65 ~ 150  
Electrical Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCEO(sus)  
ICBO  
Parameter  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Conditions  
Min.  
-100  
Typ.  
Max Units  
IC -100mA, IB = 0  
V
VCB = -100V, IE = 0  
VVCE = -100V, IB = 0  
VEB = -5V, IC = 0  
-100  
-1  
µA  
mA  
mA  
ICEO  
IEBO  
-2  
hFE  
DC Current Gain *  
VCE = -3V, IC = -3A  
1000  
750  
100  
V
CE = -3V, IC = -5A  
20000  
VCE = -3V, IC = -10A  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VF  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage *  
Parallel Diode Forward Voltage *  
IC = -5A, IB = -20mA  
-2  
-3  
V
V
IC = -10A, IB = -100mA  
IC = -5A, IB = -20mA  
IC = -10A, IB = -100mA  
-2.5  
-4  
V
V
IF = -5A  
IF = -10A  
-1.3  
-1.8  
-2  
-4  
V
V
* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 1.5% Pulsed  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BDW94CF Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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BDW94CF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDW94CFTU FAIRCHILD

类似代替

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD,
BDW94CFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与BDW94CF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW94CFI ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
BDW94CFP STMICROELECTRONICS

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