BDV93

更新时间： 2024-11-25 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	112K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BDV93 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDV93 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDV91/93/95

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 10A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 45V(Min)- BDV91; 60V(Min)- BDV93

80V(Min)- BDV95

·Complement to Type BDV92/94/96

APPLICATIONS

·Designed for use in audio output stages and general

amplifier and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDV91

BDV93

BDV95

BDV91

BDV93

BDV95

Collector-Emitter

V_CER

Voltage

100

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_E

Emitter Current

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

100

150

-65~150

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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