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BDT92

更新时间： 2024-02-11 21:47:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	58K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDT92 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDT92

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BDT91

APPLICATIONS

·For use in general purpose power amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-5

-10

I_B

Base current

-6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C≤25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.39

℃/W

12 3

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