BDT91F

更新时间： 2024-11-17 08:51:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	113K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BDT91F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDT91F 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDT91F/93F/95F

DESCRIPTION

·DC Current Gain- h_FE= 20~200@ I_C= 4A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 60V(Min)- BDT91F; 80V(Min)- BDT93F;

100V(Min)- BDT95F

·Complement to Type BDT92F/94F/96F

APPLICATIONS

·Designed for use in audio output stages and general

amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT91F

BDT93F

BDT95F

BDT91F

BDT93F

BDT95F

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.4

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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