BDT65AF

更新时间： 2024-02-04 06:30:14

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	115K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDT65AF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	22 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDT65AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDT65F/AF/BF/CF

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= 5A

·Complement to Type BDT64F/AF/BF/CF

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general purpose

amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT65F

BDT65AF

BDT65BF

BDT65CF

BDT65F

Collector-Emitter

Voltage

V_CER

100

120

BDT65AF

BDT65BF

BDT65CF

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

5.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BDT65A-SM	ETC	TRANSISTOR DARLINGTON	获取价格
BDT65B	ISC	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	获取价格
BDT65B	COMSET	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS	获取价格
BDT65BF	ISC	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	获取价格
BDT65C	COMSET	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS	获取价格
BDT65C	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格