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BDT64F

更新时间: 2024-01-19 08:00:11
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 483K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

BDT64F 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):12 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):22 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):10 MHz
Base Number Matches:1

BDT64F 数据手册

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