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BDT42B

更新时间： 2024-02-10 20:35:44

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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BDT42B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BDT42B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

BDT42/A/B/C

DESCRIPTION

·DC Current Gain -h_FE= 30(Min)@ I_C= -0.3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -40V(Min)- BDT42; -60V(Min)- BDT42A

-80V(Min)- BDT42B; -100V(Min)- BDT42C

·Complement to Type BDT41/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose amplifer and switching

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDT42

BDT42A

BDT42B

BDT42C

BDT42

-100

-120

-140

-40

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDT42A

BDT42B

BDT42C

-60

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

-6

-10

-3

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

T_j

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

1.92

R_{th j-c}

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDT42BF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 6A
BDT42C	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT42C	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 6A
BDT42CF	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT42CF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 6A
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BDT42F	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 40V 6A
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