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BDT41AF

更新时间： 2024-01-05 10:43:26

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BDT41AF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BDT41AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BDT41F/AF/BF/CF

DESCRIPTION

·DC Current Gain -h_FE= 30(Min)@ I_C= 0.3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 40V(Min)- BDT41F; 60V(Min)- BDT41AF

80V(Min)- BDT41BF; 100V(Min)- BDT41CF

·Complement to Type BDT42F/AF/BF/CF

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose amplifer and switching

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT41F

BDT41AF

BDT41BF

BDT41CF

BDT41F

100

120

140

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDT41AF

BDT41BF

BDT41CF

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

T_j

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.3

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDT41B	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41B	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 6A
BDT41BF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41BF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 6A
BDT41C	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41C	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 6A
BDT41CF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41CF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 6A
BDT41F	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41F	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 40V 6A