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BDT41

更新时间： 2024-01-03 01:10:41

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BDT41 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BDT41 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BDT41/A/B/C

DESCRIPTION

·DC Current Gain -h_FE= 30(Min)@ I_C= 0.3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 40V(Min)- BDT41; 60V(Min)- BDT41A

80V(Min)- BDT41B; 100V(Min)- BDT41C

·Complement to Type BDT42/42A/42B/42C

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose amplifer and switching

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT41

BDT41A

BDT41B

BDT41C

BDT41

100

120

140

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDT41A

BDT41B

BDT41C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

T_j

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

1.92

R_{th j-c}

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDT41A	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 6A
BDT41AF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41AF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 6A
BDT41B	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41B	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 6A
BDT41BF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDT41BF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 6A
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