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BDT30AF

更新时间： 2024-09-25 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	114K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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BDT30AF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BDT30AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

BDT30F/AF/BF/CF/DF

DESCRIPTION

·DC Current Gain -h_FE= 40(Min)@ I_C= -0.4A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -40V(Min)- BDT30F; -60V(Min)- BDT30AF

-80V(Min)- BDT30BF; -100V(Min)- BDT30CF

-120V(Min)- BDT30DF

·Complement to Type BDT29F/AF/BF/CF/DF

APPLICATIONS

·Designed for use in audio output stages , general purpose

amplifier and high speed switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT30F

-80

-100

-120

-140

-160

-40

BDT30AF

BDT30BF

BDT30CF

BDT30DF

BDT30F

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDT30AF

BDT30BF

BDT30CF

BDT30DF

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-80

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

-1

-3

-0.4

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

T_j

Junction Temperature

150

℃

Storage Ttemperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

9.17

℃/W

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDT30B	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT30B	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 1A
BDT30BF	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT30BF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 1A
BDT30C	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT30C	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 1A
BDT30CF	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDT30CF	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 1A
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