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BD943

更新时间： 2024-12-01 06:41:55

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD943 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD943

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

·High current capability

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-50~150

T_stg

12 3

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