BD907

更新时间： 2024-11-28 06:41:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BD907 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BD907 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BD907

DESCRIPTION

·DC Current Gain -

: h_FE= 40@ I_C= 0.5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 60V(Min)

·Complement to Type BD908

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

VALUE

UNIT

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.38

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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