BD897

更新时间： 2024-01-09 16:25:36

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD897 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	70 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

BD897 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD895/897/899/901

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD896/898/900/902

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in output stages in audio

equipment ,general amplifier,and

analogue switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD895

BD897

BD899

BD901

BD895

BD897

BD899

BD901

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Base current

Open collector

I_B

300

T_C=25℃

T_a=25℃

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3

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BD89716A	MOTOROLA	获取价格	8A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD8972MUV	ROHM	获取价格	Switching Regulator, Voltage-mode, 1A, 600kHz Switching Freq-Max, 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT
BD897-6200	RENESAS	获取价格	8A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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