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BD895

更新时间： 2024-02-08 15:00:44

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	111K
描述
Silicon PNP Transistors

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BD895 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD895 数据手册

Power Transistors

www.jmnic.com

BD895

Silicon PNP Transistors

ꢀFeatures

B C E

﹒With TO-220 package

﹒With general-purpose and amplifier applications

ꢀAbsolute Maximum Ratings Tc=25

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

PARAMETER

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Base collector current

Collector current

RATING

UNIT

5.0

I_C

8.0

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

-55~150

TO-220

ꢀElectrical Characteristics Tc=25

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base cut-off current

Emitter-base cut-off current

Collector-emitter cut-off current

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltages

Forward current transfer ratio

Base-emitter on voltages

CONDITIONS

MIN

TYPE

MAX

0.2

UNIT

I_CBO

V_CB=45V; I_E=0

I_EBO

V_EB=5.0V; I_C=0

V_CE=45V; I_B=0

2.0

I_CEO

0.5

V_CBO

V_(BR)ceo

V_EBO

I_C=0.1A; I_B=0

V_CE(sat-1)

V_CE(sat-2)

h_FE-1

I_C=3A; I_B=12mA

I_C=3A; V_CE=3V

2.5

750

h_FE-2

h_FE-3

V_BE(on)1

V_BE(on)2

f_T

I_C=3A; V_CE=3V

Base-emitter on voltages

Transition frepuency

C_ob

Output Capacitance

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