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BD788

更新时间： 2024-01-18 15:00:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	225K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BD788 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-225
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-225	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

BD788 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD788

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 40~250(Min)@ I_C= -0.2A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage -

: V_CEO(SUS)= -60V(Min)

·Complement to type BD787

APPLICATIONS

·Designed for low power audio amplifier and low current,

high-speed switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-80

UNIT

-60

-6

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-4

I_CM

-8

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

8.34

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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