BD750A

更新时间： 2024-01-20 03:27:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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BD750A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	20 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

BD750A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

BD750/750A

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -90V(Min)- BD750

= -120V(Min)- BD750A

·High Power Dissipation

·Complement to Type BD751/751A

APPLICATIONS

·Designed for high voltage and high power amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-100

-130

-90

UNIT

BD750

V_CEV

Collector-Emitter Voltage

BD750A

BD750

V_CEO(SUS)Collector-Emitter Voltage

BD750A

-120

-7

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-20

I_B

-5

P_C

T_J

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

200

℃

200

Storage Temperature

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.875

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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