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BD738

更新时间： 2022-10-15 20:56:57

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	95K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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BD738 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD738

DESCRIPTION

·DC Current Gain -

: h_FE= 40(Min.)@ I_C= -20mA

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -45V(Min.)

·Complement to Type BD737

APPLICATIONS

·Designed for amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-45

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-4

I_CM

-7

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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