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BD676

更新时间: 2024-09-24 20:20:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 59K
描述
4A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

BD676 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.16
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):750
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

BD676 数据手册

  

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