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BD649

更新时间： 2024-02-25 05:34:15

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COMSET		晶体晶体管
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5页	333K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD649 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD649 数据手册

SEMICONDUCTORS

BD643/645/647/649/651

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a

TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment,

general amplifiers, and analogue switching application.

PNP complements are BD644, BD646, BD648, BD650 and BD652

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

100

120

140

100

120

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_CEO

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

I_C

Collector Peak Current

I_CM

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