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BD648

更新时间： 2024-01-23 13:36:49

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BD648 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

BD648 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BD648

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·High DC Current Gain

: h_FE= 750(Min) @I_C= -3A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BD647

APPLICATIONS

·Designed for use as complementary AF push-pull output

stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-80

UNIT

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-8

I_CP

-12

I_B

-0.3

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

62.5

150

-65~150

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

62.5

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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