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BD543B

更新时间： 2024-11-25 22:39:31
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POINN 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD543B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD543B 数据手册

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BD543, BD543A, BD543B, BD543C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD544 Series  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
70 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
10 A Peak Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD543  
40  
BD543A  
BD543B  
BD543C  
BD543  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
80  
100  
40  
BD543A  
BD543B  
BD543C  
60  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
8
ICM  
Ptot  
Ptot  
TA  
10  
70  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Operating free air temperature range  
W
W
°C  
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Operating junction temperature range  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
TL  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp £ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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与BD543B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD543B-S BOURNS

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD543C BOURNS

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 		暂无描述
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