BD540B

更新时间： 2024-01-04 03:06:51

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD540B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.7 V
JEDEC-95代码：	TO-251AB	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BD540B 数据手册

BD540, BD540A, BD540B, BD540C

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

●

Designed for Complementary Use with the

BD539 Series

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

45 W at 25°C Case Temperature

5 A Continuous Collector Current

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BD540

-40

BD540A

BD540B

BD540C

BD540

-60

Collector-base voltage (I_E= 0)

V_CBO

-80

-100

-40

BD540A

BD540B

BD540C

-60

Collector-emitter voltage (I_B= 0) (see Note 1)

V_CEO

-80

-100

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

-5

Continuous collector current

-5

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Operating free air temperature range

P_tot

T_A

°C

-65 to +150

260

Operating junction temperature range

T_j

Storage temperature range

T_stg

T_L

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.36 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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与BD540B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD540B-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
BD540C	BOURNS	PNP SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD540C	POINN	PNP SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD540C	ISC	isc Silicon PNP Power Transistor	获取价格
BD540C-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
BD540S	PANJIT	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格