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BD501N

更新时间： 2022-02-26 12:45:56

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描述
50 AMP BLOCK DIODES

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BD501N 数据手册

BD501N THRU BD501P

50 AMP BLOCK DIODES

特征 FEATURES

.大电流承受能力.High current capability

BLOCK DIODE

.高压利用能力.High voltage available

.玻璃被钝化的压模结构.Glass passivated die construction

.高浪涌承受能力.High surge current capability

.50 A 工作在表面温度是125℃,无热损耗的情况下.

50Ampere Operation At TL=125℃With No Thermal Runaway

机械数据 MECHANICAL DATA

.BD501N 代表阴性的

BD501-N N-Lead ,P-Case

.BD501P 代表阳性的

BD501-P P-Lead ,N-Case

Dimension in millimeters

极限值和电参数 TA= 25℃除非另有规定. 单相,正半弦波,60HZ,阻抗或电感负载.为电容装载,减少电流的20%

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ Ambient temp. Unless otherwise specified.Single phase, half sine wave, 60HZ,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

UNITS

SYMBOL

BD501N

BD501P

最大峰值反向电压

Maximum Current Peak Reverse Voltage

VRRM

VRMS

VDC

Volts

100

最大反向有效电压

Maximum RMS Voltage

最大直流阻断电压

Maximum DC Blocking Voltage

100

最大正向平均整流电流T_L=100℃

Maximum Average Forward Rectified

Current

I(AV)

Amps

正向峰值浪涌电流

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single

Sine-wave on Rated Load (JEDEC Method)

IFSM

Amps

Volts

500

1.1

50A 直流电时最大正向瞬间电压降

Maximum Instantaneous Forward Voltage

Drop at 50A DC

最大反向漏电流

500

Maximum DC Reverse Current T_A=25℃

at Rated DC Blocking Voltage

T_A=100℃

典型热阻抗

Typical thermal resistance

ΘJA

℃/W

1.0

工作温度存储温度

Operating AND Storage Temperature Range

TSTG/ TJ

℃

-55 to +150

w w w . s h u n y e g r o u p . c o m . c n

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与BD501N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD501P	SHUNYE	50 AMP BLOCK DIODES	获取价格
BD5020	WTE	50A AVALANCHE BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE	获取价格
BD5020-LF	WTE	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 16V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,	获取价格
BD5020R	WTE	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 20V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1	获取价格
BD5020R-LF	WTE	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 20V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,	获取价格
BD5024	WTE	50A AVALANCHE BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE	获取价格