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BD501

更新时间： 2024-01-16 22:04:45

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BD501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz

BD501 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BD501/B

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 50V(Min)

80V(Min)

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BD501

V_CBO

Collector-Base Voltage

BD501B

BD501

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

BD501B

V_EBO

Emitter-Base Voltage

I_C

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.39

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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与BD501相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD501B	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BD501B	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 10A
BD501B-6200	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD501B-6203	RENESAS	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD501B-6226	RENESAS	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD501B-6255	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD501B-6258	RENESAS	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD501B-6261	RENESAS	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD501B-6263	RENESAS	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD501B-6264	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti