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BD437P PDF预览

BD437P

更新时间： 2024-11-28 20:09:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
TRANSISTOR 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Power

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BD437P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.39
Base Number Matches：1

BD437P 数据手册

 浏览型号BD437P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD437P的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
BD433/BD435/BD437  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
x
Intended for use in medium power near and switching applications  
With TO-126 package  
The complementary PNP type is BD434, BD436, BD438  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Rating  
22  
32  
45  
22  
32  
45  
Unit  
V
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
BD433  
BD435  
BD437  
BD433  
BD435  
BD437  
BD433  
BD435  
BD437  
A
K
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
D
VEBO  
R
5.0  
E
B
IC  
PC  
TJ  
Collector Current  
4.0  
1.25  
-55 to +150  
A
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
R
R
TSTG  
-55 to +150  
N
P
M
F
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
G
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
L
OFF CHARACTERISTICS  
H
C
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=100mAdc, IB=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
22  
32  
45  
---  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
1
2
3
22  
32  
45  
---  
---  
---  
(IC=100IAdc, IE=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
Vdc  
Vdc  
J
J
Q
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100IAdc, IC=0)  
5
---  
Collector-Base Cutoff Current  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
(VCB=22Vdc,IE=0)  
(VCB=32Vdc,IE=0)  
(VCB=45Vdc,IE=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCE=22Vdc,IE=0)  
(VCE=32Vdc,IE=0)  
(VCE=45Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
---  
1.0  
uAdc  
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ICEO  
BD433  
BD435  
BD437  
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---  
---  
10  
uAdc  
uAdc  
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IEBO  
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1.0  
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ꢍꢎꢖꢓꢉ  
ꢕꢎꢝꢓ  
ꢍꢎꢔꢍ  
ꢕꢕꢎꢗꢍ  
ꢕꢍꢎꢑꢍꢉ  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2007/05/06  
1 of 3  
123

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与BD437P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD437S FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD437S ONSEMI

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 		Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD437S_11 FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD437T ONSEMI

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 		Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD437TG ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD438 SECOS

获取价格

 		Plastic Encapsulate Transistors
BD438 MCC

获取价格

 		PNP Silicon Power Transistors
BD438 COMSET

获取价格

 		SILICON PNP POWER TRANSISTORS
BD438 TYSEMI

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications Base Current IB -1 A
BD438 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

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