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BD437

更新时间： 2024-11-29 14:49:47
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17页 197K
描述
45V,4A,36W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

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BD437 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD437 数据手册

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Power Transistors  
TO-126 Case  
Top View  
Bottom View  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
T
(MHz)  
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(mA)  
(A)  
NPN  
PNP  
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1.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.5  
0.5  
0.5  
4.0  
4.0  
4.0  
1.5  
1.5  
1.5  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
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2.0  
4.0  
4.0  
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4.0  
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4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.05  
0.05  
MIN  
40  
MIN  
40  
MIN  
MAX  
150  
150  
150  
100  
100  
80  
MAX  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.8  
0.8  
0.8  
0.6  
0.6  
0.6  
0.5  
0.5  
0.6  
0.8  
0.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.5  
0.6  
0.6  
MIN  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
10  
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2N4923  
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2N5191  
2N5192  
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2N5656  
2N5657  
2N6037  
2N6038  
2N6039  
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BD137  
BD139  
BD175  
BD177  
BD179  
BD233  
BD235  
BD237  
BD433  
BD435  
BD437  
BD439  
BD441  
BD675  
BD675A  
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25  
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1.0  
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1.5  
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0.1  
0.1  
0.1  
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0.5  
0.5  
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1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
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2.0  
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1.5  
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0.03  
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60  
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80  
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40  
40  
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1,500  
1,500  
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40  
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60  
40  
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80  
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375  
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60  
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45  
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63  
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250  
250  
- -  
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150  
150  
150  
150  
150  
150  
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- -  
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3.0  
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1.25  
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0.025  
50  
60  
Shaded areas indicate Darlington.  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
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