5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BD37610STU
BD37610STU PDF预览

BD37610STU

更新时间： 2024-02-14 01:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 127K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

阅读下载

获取价格

BD37610STU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD37610STU 数据手册

 浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BD37610STU的Datasheet PDF文件第7页 
BD376/378/380  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD375, BD377 and BD379 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : BD376  
- 50  
- 75  
- 100  
V
V
V
CBO  
: BD378  
: BD380  
V
Collector-Emitter Voltage : BD376  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BD378  
: BD380  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 2  
V
A
I
I
I
C
- 3  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD376  
: BD378  
: BD380  
I = - 100mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
C
B
BV  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
: BD376  
: BD378  
: BD380  
: BD376  
: BD378  
: BD380  
I = - 100µA, I = 0  
- 50  
- 75  
- 100  
V
V
V
CBO  
C
E
I
Collector Cut-off Current  
V
= - 45V, I = 0  
- 2  
- 2  
- 2  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
E
V
V
= - 60V, I = 0  
E
= - 80V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 100  
375  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= - 2V, I = - 0.15A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 1A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter ON Voltage  
Turn ON Time  
I = - 1A, I = - 0.1A  
- 1  
V
V
CE  
C
B
(on)  
V
= - 2V, I = -1A  
- 1.5  
BE  
CE  
C
t
V
= - 30V, I = - 0.5A  
50  
ns  
ns  
ON  
CC  
C
I
= - I = - 0.05A  
t
Turn OFF Time  
B1  
B2  
500  
OFF  
R = 60Ω  
L
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
6
10  
16  
100 ~ 250  
25  
h
40 ~ 100  
63 ~ 160  
150 ~ 375  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234567

下载PDF

与BD37610STU相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD37616 FAIRCHILD Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

获取价格
BD376-16 FAIRCHILD 2 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

获取价格
BD376-16 SAMSUNG Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

获取价格
BD376-16 ISC Transistor

获取价格
BD376-16 NSC TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126

获取价格
BD37625 FAIRCHILD Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

获取价格

与BD37610STU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证