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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD37610 | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-10 | ISC |
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Transistor |
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| BD376-10 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-10 | NSC |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 |
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| BD37610STU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD37616 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-16 | FAIRCHILD |
获取价格 |
2 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| BD376-16 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-16 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| BD376-16 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 |
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