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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD3766 | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-6 | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD376-6 | ISC | Transistor |
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| BD376-6 | NSC | 暂无描述 |
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| BD377 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistors |
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| BD377 | FAIRCHILD | Medium Power Linear and Switching Applications |
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