5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD37610STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD37616 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD376-16 | FAIRCHILD |
获取价格 |
2 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
|
| BD376-16 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD376-16 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| BD376-16 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 |
|
| BD37625 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD376-25 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| BD376-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD3766 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
