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BD375

更新时间: 2024-09-15 21:15:51
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三星 - SAMSUNG 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD375 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BD375 数据手册

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