是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.74 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 最小击穿电压: | 24 V |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | O-XUPF-P1 |
最大非重复峰值正向电流: | 400 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 35 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | PRESS FIT |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 最大反向电流: | 0.2 µA |
反向测试电压: | 20 V | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD3524G-LF | WTE |
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Rectifier Diode, | |
BD3524GR | WTE |
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Rectifier Diode, | |
BD3524-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 20V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, | |
BD3524R | WTE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 20V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1 | |
BD35269HFN | ROHM |
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Silicon Monolithic Integrated Circuit | |
BD35269HFN-TR | ROHM |
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Analog Circuit, 1 Func, PDSO8, 2.90 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, HSON-8 | |
BD35281HFN | ROHM |
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Silicon Monolithic Integrated Circuit | |
BD35281HFN_11 | ROHM |
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Nch FET Ultra LDO for Desktop PCs | |
BD35281HFN-TR | ROHM |
获取价格 |
Nch FET Ultra LDO for Desktop PCs | |
BD352N | SHUNYE |
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35 AMP BLOCK DIODES |