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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | MSOP-8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.58 | 模拟集成电路 - 其他类型： | ANALOG CIRCUIT |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 长度： | 2.9 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -10 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 0.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 2.8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD3520G | WTE |
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Rectifier Diode, |
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| BD3520G | WON-TOP |
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Pressfit Diodes |
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| BD3520G-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| BD3520GR | WTE |
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Rectifier Diode, |
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| BD3520-LF | WTE |
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暂无描述 |
|
| BD3520R | WTE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 16V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1 |
|
| BD3520R-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 16V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| BD3521FVM | ROHM |
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silicon monolithic integrated circuit |
|
| BD3521FVM_11 | ROHM |
获取价格 |
Silicon Monolithic Integrated Circuit |
|
| BD3521FVM-TL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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