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BD250A

更新时间： 2024-01-28 16:09:44

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	145K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD250A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD250A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD250/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BD249/A/B/C

·125 W at 25°C case temperature

·25 A continuous collector current

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-55

UNIT

BD246

BD246A

BD246B

BD246C

BD246

-70

V_CBO

Collector-base voltage

Collector emitter

-90

-115

-45

BD246A

BD246B

BD246C

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-25

Collector current-peak

Base current

-40

-5

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

125

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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