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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD244C
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BD244C

更新时间： 2024-01-21 11:48:14
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 143K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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BD244C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD244C 数据手册

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by BD243B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector – Emitter Saturation Voltage —  
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BD243B, BD244B  
= 100 Vdc (Min) — BD243C, BD244C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
*Motorola Preferred Device  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product  
f
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
T
C
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
Compact TO–220 AB Package  
MAXIMUM RATINGS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
BD243B  
BD244B  
BD243C  
BD244C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
5.0  
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
6
10  
C
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25 C  
65  
0.52  
C
Derate above 25 C  
W/ C  
C
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.92  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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与BD244C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD244C16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C16A MOTOROLA

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 		6A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6200 RENESAS

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 		7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6203 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6226 RENESAS

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BD244C-6255 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6258 RENESAS

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BD244C-6261 RENESAS

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 		7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6263 RENESAS

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 		7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6264 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast

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